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           半導(dǎo)體檢測的目的：
           主要是對(duì)工藝過程中半導(dǎo)體體內(nèi)、表面和附加其上的介質(zhì)膜、金屬膜、多晶硅等結(jié)構(gòu)的特性進(jìn)行物理、化學(xué)和電學(xué)等性質(zhì)的測定。其中許多檢測方法是半導(dǎo)體工藝有的。
           分類
           按照所測定的特性，這一類檢測可分為四個(gè)方面。
           （1）幾何尺寸與表面形貌的檢測：如半導(dǎo)體晶片、外延層、介質(zhì)膜、金屬膜,以及多晶硅膜等的厚度,雜質(zhì)擴(kuò)散層和離子注入層以及腐蝕溝槽等的深度，晶體管的基區(qū)寬度，半導(dǎo)體晶片的直徑、平整度、光潔度、表面污染、傷痕等，刻蝕圖形的線條長、寬、直徑間距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。
           （2）成分結(jié)構(gòu)分析：如襯底、外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的摻雜濃度及其縱向和平面的分布、原始晶片中缺陷的形態(tài)、密度和分布，單晶硅中的氧、碳以及各重金屬的含量，在經(jīng)過各工藝步驟前后半導(dǎo)體內(nèi)的缺陷和雜質(zhì)的分布演變，介質(zhì)膜的基本成分、含雜量和分布、致密度、針孔密度和分布、金屬膜的成分，各步工藝前后的表面吸附和沾污等。
           （3）電學(xué)特性：如襯底材料的導(dǎo)電類型、電阻率（包括平面分布和一批晶片之間的離散度）、少數(shù)載流子壽命、擴(kuò)散或離子注入層的導(dǎo)電類型與薄層電阻、介質(zhì)層的擊穿電壓、金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容特性、氧化層中的電荷和界面態(tài)、金屬膜的薄層電阻、通過氧化層臺(tái)階的金屬條電阻、金屬－半導(dǎo)體接觸特性和歐姆接觸電阻、金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管特性等。
           （4）裝配和封裝的工藝檢測：如鍵合強(qiáng)度和密封性能及其失效率等。
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